TRANSISTORES
Introducción
Se trata de una sección especialmente dedicada a hojas de características de transistores adecuados para construir amplificadores y previos de audio. No se trata de reunir una base de datos interminable de transistores sino un conjunto con los más adecuados para éste fin.
BJT señal.
Son indicados para circuitos de todo tipo, amplificación en general, y en particular los de ruido ultra bajo son la opción idónea para fuentes de baja impedancia, como cápsulas MC, etc...
Transistor |
tipo
|
comp. |
car.
|
caps.
|
volt.
|
corriente
|
potencia
|
2SA1083 |
PNP
|
2SC2545 |
ULN
|
TO-92
|
60
|
100mA
|
400mW
|
2SA1084 |
PNP
|
2SC2546 |
ULN
|
TO-92
|
90
|
100mA
|
400mW
|
2SA1085 |
PNP
|
2SC2547 |
ULN
|
TO-92
|
120
|
100mA
|
400mW
|
2SC2545 |
NPN
|
2SA1083 |
ULN
|
TO-92
|
60
|
100mA
|
400mW
|
2SC2546 |
NPN
|
2SA1084 |
ULN
|
TO-92
|
90
|
100mA
|
400mW
|
2SC2547 |
NPN
|
2SA1085 |
ULN
|
TO-92
|
120
|
100mA
|
400mW
|
2SA970 |
PNP
|
2SC2240 |
ULN
|
TO-92
|
120
|
100mA
|
300mW
|
2SC2240 |
NPN
|
2SA970 |
ULN
|
TO-92
|
120
|
100mA
|
300mW
|
2SC3112 |
NPN
|
|
SB-LN
|
TO-92
|
50
|
150mA
|
400mW
|
2SA1048L |
PNP
|
2SC2458L |
LN
|
TO-92
|
50
|
150mA
|
200mW
|
2SC2458L |
NPN
|
2SA1048L |
LN
|
TO-92
|
50
|
150mA
|
200mW
|
2SA1015L |
PNP
|
2SC1815L |
LN
|
TO-92
|
50
|
150mA
|
400mW
|
2SC1815L |
NPN
|
2SA1015L |
LN
|
TO-92
|
50
|
150mA
|
400mW
|
BC546 |
NPN
|
BC556 |
LN
|
TO-92
|
60
|
100mA
|
625mW
|
BC547 |
NPN
|
BC557 |
LN
|
TO-92
|
45
|
100mA
|
625mW
|
BC548 |
NPN
|
BC558 |
LN
|
TO-92
|
30
|
100mA
|
625mW
|
BC549 |
NPN
|
BC559 |
LN
|
TO-92
|
30
|
100mA
|
500mW
|
BC550 |
NPN
|
BC560 |
LN
|
TO-92
|
50
|
200mA
|
500mW
|
BC556 |
PNP
|
BC546 |
LN
|
TO-92
|
60
|
100mA
|
625mW
|
BC557 |
PNP
|
BC547 |
LN
|
TO-92
|
45
|
100mA
|
625mW
|
BC558 |
PNP
|
BC548 |
LN
|
TO-92
|
30
|
100mA
|
625mW
|
BC559 |
PNP
|
BC549 |
LN
|
TO-92
|
30
|
100mA
|
500mW
|
BC560 |
PNP
|
BC550 |
LN
|
TO-92
|
50
|
200mA
|
500mW
|
BC635 |
NPN
|
BC636 |
|
TO-92
|
45
|
1000mA
|
830mW
|
BC637 |
NPN
|
BC638 |
|
TO-92
|
60
|
1000mA
|
830mW
|
BC639 |
NPN
|
BC640 |
|
TO-92
|
80
|
1000mA
|
830mW
|
BC636 |
PNP
|
BC635 |
|
TO-92
|
45
|
1000mA
|
830mW
|
BC638 |
PNP
|
BC637 |
|
TO-92
|
60
|
1000mA
|
830mW
|
BC640 |
PNP
|
BC639 |
|
TO-92
|
80
|
1000mA
|
830mW
|
2SA1312 |
PNP
|
2SC3324 |
LN
|
SOT-23
|
120
|
100mA
|
150mW
|
2SC3324 |
NPN
|
2SA1312 |
LN
|
SOT-23
|
120
|
100mA
|
150mW
|
BC850 |
NPN
|
BC860 |
LN
|
SOT-23
|
50
|
100mA
|
225mW
|
BC860 |
PNP
|
BC850 |
LN
|
SOT-23
|
60
|
100mA
|
225mW
|
BC847BS |
NPN
|
BC857BS |
LN-D
|
SOT-363
|
45
|
100mA
|
225mW
|
BC857BS |
PNP
|
BC847BS |
LN-D
|
SOT-363
|
45
|
100mA
|
225mW
|
BC847BPN |
DUAL N&P
|
LN-D
|
SOT-363
|
45
|
100mA
|
225mW
|
BCV61 |
NPN
|
BCV62 |
CM
|
SOT-143
|
30
|
100mA
|
300mW
|
BCV62 |
PNP
|
BCV61 |
CM
|
SOT-143
|
30
|
100mA
|
300mW
|
LM394 |
NPN
|
|
U-D
|
DIP-8
|
35
|
20mA
|
500mW
|
MAT02 |
NPN
|
MAT03 |
U-D
|
TO-78
|
40
|
20mA
|
500mW
|
MAT03 |
PNP
|
MAT02 |
U-D
|
TO-78
|
35
|
20mA
|
500mW
|
SSM-2210 |
NPN
|
SSM-2220 |
U-D
|
DIP-8
|
40
|
20mA
|
500mW
|
SSM-2220 |
PNP
|
SSM-2210 |
U-D
|
DIP-8
|
35
|
20mA
|
500mW
|
SB |
Super-beta (alta Hfe) |
ULN |
Ultra bajo ruido. |
LN |
Bajo ruido. |
LN-D |
Transistor dual, bajo ruido. |
U-D |
Transistor dual, ultra bajo ruido. |
CM |
Espejo de corriente. |
BJT media potencia.
Transistores con una potencia nominal entre 1 y 20W, lo que da unas características intermedias entre un buen manejo de la señal y el aguante de los grandes. Su uso está asignado a drivers de transistores de alta potencia, transistores cascodos, transistores de compensación térmica...
Transistor |
tipo
|
comp. |
caps.
|
volt.
|
corriente
|
potencia
|
2SC3419 |
NPN
|
2SA1356 |
TO-126
|
40
|
800
|
5
|
2SA1356 |
PNP
|
2SC3419 |
TO-126
|
40
|
800
|
5
|
2SC3420 |
NPN
|
2SA1357 |
TO-126
|
40
|
5000
|
10
|
2SA1357 |
PNP
|
2SC3420 |
TO-126
|
40
|
5000
|
10
|
2SC3421 |
NPN
|
2SA1358 |
TO-126
|
120
|
1000
|
10
|
2SA1358 |
PNP
|
2SC3421 |
TO-126
|
120
|
1000
|
10
|
2SC3422 |
NPN
|
2SA1359 |
TO-126
|
40
|
3000
|
10
|
2SA1359 |
PNP
|
2SC3422 |
TO-126
|
40
|
3000
|
10
|
2SC3423 |
NPN
|
2SA1360 |
TO-126
|
150
|
50
|
5
|
2SA1360 |
PNP
|
2SC3423 |
TO-126
|
150
|
50
|
5
|
2SC3621 |
NPN
|
2SA1408 |
TO-126
|
150
|
1500
|
10
|
2SA1408 |
PNP
|
2SC3621 |
TO-126
|
150
|
1500
|
10
|
2SC3963 |
NPN
|
|
TO-126
|
160
|
200
|
1.5
|
2SC4793 |
NPN
|
2SA1837 |
TO-220
|
230
|
1000
|
20
|
2SA1837 |
PNP
|
2SC4793 |
TO-220
|
230
|
1000
|
20
|
2SC4883 |
NPN
|
2SA1859 |
TO-220
|
180
|
2000
|
20
|
2SA1859 |
PNP
|
2SC4883 |
TO-220
|
180
|
2000
|
20
|
BD139 |
NPN
|
BD140 |
TO-126
|
80
|
1500
|
12.5
|
BD140 |
PNP
|
BD139 |
TO-126
|
80
|
1500
|
12.5
|
BF459 |
NPN
|
|
TO-126
|
300
|
300
|
12.5
|
BF471 |
NPN
|
BF472 |
TO-126
|
300
|
100
|
2
|
BF472 |
PNP
|
BF471 |
TO-126
|
300
|
100
|
2
|
MJE340 |
NPN
|
MJE350 |
TO-126
|
300
|
500
|
20
|
MJE350 |
PNP
|
MJE340 |
TO-126
|
300
|
500
|
20
|
2SC5460 |
NPN
|
|
TO-126
|
800
|
50
|
10
|
BJT alta potencia.
Potencias mayores de 30W. Se emplean en etapas de salida de amplificadores y reguladores de media y alta potencia, etc...
Transistor |
tipo
|
comp. |
caps.
|
volt.
|
corriente
|
potencia
|
2SA1693 |
PNP
|
2SC4466 |
TO-3P
|
80
|
6
|
60
|
2SC4466 |
NPN
|
2SA1693 |
TO-3P
|
80
|
6
|
60
|
2SA1695 |
PNP
|
2SC4468 |
TO-3P
|
140
|
10
|
100
|
2SC4468 |
NPN
|
2SA1695 |
TO-3P
|
140
|
10
|
100
|
2N3055 |
PNP
|
MJ2955 |
TO-3
|
|
|
|
MJ2955 |
NPN
|
2N3055 |
TO-3
|
|
|
|
2SC3263 |
NPN
|
2SA1294 |
TO-3P
|
230
|
15
|
130
|
2SA1294 |
PNP
|
2SC3263 |
TO-3P
|
230
|
15
|
130
|
2SC5242 |
NPN
|
2SA1962 |
TO-3P
|
230
|
15
|
130
|
2SA1962 |
PNP
|
2SC5242 |
TO-3P
|
230
|
15
|
130
|
MJ15015 |
NPN
|
MJ15016 |
TO-3
|
120
|
15
|
140
|
MJ15016 |
PNP
|
MJ15015 |
TO-3
|
120
|
15
|
140
|
2SA1943 |
PNP
|
2SC5200 |
TO-247
|
230
|
15
|
150
|
2SC5200 |
NPN
|
2SA1943 |
TO-247
|
230
|
15
|
150
|
2SC3264 |
NPN
|
2SA1295 |
MT-200
|
230
|
17
|
200
|
2SA1295 |
PNP
|
2SC3264 |
MT-200
|
230
|
17
|
200
|
2SC3858 |
NPN
|
2SA1494 |
MT-200
|
200
|
17
|
200
|
2SA1494 |
PNP
|
2SC3858 |
MT-200
|
200
|
17
|
200
|
2SA1216 |
PNP
|
2SC2922 |
MT-200
|
180
|
17
|
200
|
2SC2922 |
NPN
|
2SA1216 |
MT-200
|
180
|
17
|
200
|
MJ15001 |
NPN
|
MJ15002 |
TO-3
|
140
|
15
|
200
|
MJ15002 |
PNP
|
MJ15001 |
TO-3
|
140
|
15
|
200
|
MJ15003 |
NPN
|
MJ15004 |
TO-3
|
140
|
20
|
250
|
MJ15004 |
PNP
|
MJ15003 |
TO-3
|
140
|
20
|
250
|
MJ15022 |
NPN
|
MJ15023 |
TO-3
|
200
|
16
|
250
|
MJ15023 |
PNP
|
MJ15022 |
TO-3
|
200
|
16
|
250
|
MJ15024 |
NPN
|
MJ15025 |
TO-3
|
250
|
16
|
250
|
MJ15025 |
PNP
|
MJ15024 |
TO-3
|
250
|
16
|
250
|
J-FET.
Los transistores J-FET son muy recomendados para las etapas de entrada, dada su alta impedancia. Para fuentes de alta impedancia como cápsulas MM, etc... también son muy recomendables ya que su ruido de corriente es muy bajo. Sirven también como fuente de corriente que se polariza automáticamente sin referencias externas de voltaje.
Transistor |
tipo
|
comp. |
car.
|
caps.
|
volt.
|
Idss
|
potencia
|
2N3819 |
N
|
2N3820 |
LN
|
TO-92
|
25
|
2-20
|
350mW
|
2N3820 |
P
|
2N3819 |
LN
|
TO-92
|
20
|
0.3-15
|
350mW
|
2N3958 |
N
|
|
LN-D
|
TO-71
|
50
|
0.5-5
|
500mW
|
2N5196/7/8/9 |
N
|
|
LN-D
|
TO-71
|
50
|
0.7-7
|
500mW
|
2N5460/1/2 |
P
|
|
|
TO-92
|
40
|
1-16
|
625mW
|
MMBF5460/1 |
P
|
|
|
SOT-23
|
40
|
1-9
|
350mW
|
BF245 |
N
|
|
|
TO-92
|
30
|
2-25
|
625mW
|
2N5911/2 |
N
|
|
LN-D
|
TO-71
|
35
|
7-40
|
350mW
|
2SK246 |
N
|
2SJ103 |
|
TO-92
|
50
|
1.2-14
|
300mW
|
2SK30ATM |
N
|
|
LN
|
TO-92
|
50
|
0.3-6.5
|
100mW
|
2SK2145 |
N
|
|
ULN-D
|
2-2L1-B
|
50
|
1.2-14
|
300mW
|
2SK3320 |
N
|
|
ULN-D
|
2-2L1-B
|
50
|
1.2-14
|
200mW
|
2SK389 |
N
|
2SJ109 |
ULN-D
|
2-10M1A
|
50
|
2.6-20
|
200mW
|
2SK170 |
N
|
2SJ74 |
ULN
|
TO-92
|
40
|
2.6-20
|
400mW
|
2SK208 |
N
|
2SJ106 |
LN
|
SOT-23
|
50
|
1.2-14
|
150mW
|
2SJ74 |
P
|
2SK170 |
ULN
|
TO-92
|
40
|
2.6-20
|
400mW
|
2SJ103 |
P
|
2SK246 |
|
TO-92
|
50
|
1.2-14
|
300mW
|
2SJ109 |
P
|
2SK389 |
ULN-D
|
2-10M1A
|
30
|
2.6-20
|
200mW
|
2SJ106 |
P
|
2SK208 |
LN
|
SOT-23
|
50
|
1.2-14
|
150mW
|
J304/5 |
N
|
|
LN
|
TO-92
|
30
|
1-15
|
350mW
|
PMBFJ308/9/10 |
N
|
|
LN
|
SOT-23
|
25
|
12-60
|
250mW
|
SST/U401/4/6 |
N
|
|
LN-D
|
TO-71
|
40
|
0.5-10
|
600mW
|
ULN |
Ultra bajo ruido. |
LN |
Bajo ruido. |
D |
Transistor dual |
MOS-FET alta potencia.
Los transistores mosfet de potencia son exclusivos para las etapas de salida, o como drivers de etapas de salida con varios dispositivos en paralelo.
La especialización para conmutación y aplicaciones muy exigentes en cuanto a potencia y corriente máxima ha dado como resultado modelos de excepcionales prestaciones pero que sólo existen en tipo N.
Son especialmente indicados para etapas de salida clase A, por su mayor linealidad a altas corrientes, ausencia de ruptura secundaria y que no requieren corriente para controlarlos.
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